IGBT, STGP7NC60HD, , 25 A, 600 V, A-220, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsCourant continu de Collecteur maximum
25 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
600 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 12,24
€ 1,224 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Paquet de production (Tube)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 10 - 98 | € 1,224 | € 2,45 |
| 100 - 498 | € 0,915 | € 1,83 |
| 500 - 998 | € 0,778 | € 1,56 |
| 1000+ | € 0,654 | € 1,31 |
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Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
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Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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