Transistor Darlington, NPN, 500 mA, 50 V, SOIC, CMS, 16 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type d'emballage
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
16
Configuration du transistor
Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit
7
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Taille
1.65mm
Dimensions
10 x 4 x 1.65mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
10mm
Largeur
4mm
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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€ 2,07
€ 0,207 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,207 | € 2,07 |
| 50 - 90 | € 0,194 | € 1,94 |
| 100 - 240 | € 0,184 | € 1,84 |
| 250 - 490 | € 0,175 | € 1,75 |
| 500+ | € 0,164 | € 1,64 |
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NPN
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0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type d'emballage
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
16
Configuration du transistor
Emetteur commun
Nombre d'éléments par circuit
7
Gain en courant DC minimum
1000
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.6 V
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Taille
1.65mm
Dimensions
10 x 4 x 1.65mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
10mm
Largeur
4mm
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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