Transistors MOSFET

Les transistors MOSFET, appelés simplement MOSFET, qui signifie "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal" sont des dispositifs à transistor qui sont contrôlés par un condensateur. L'effet de champ des transistors MOSFET signifie qu'ils sont contrôlés par tension. Le but d'un transistor MOSFET est de contrôler le flux du courant passant de la source...

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MOSFET N Infineon 789 A 25 V Enrichissement, 8 broches, PG-WHSON-8 OptiMOS 5
MOSFET N Infineon 789 A 25 V Enrichissement, 8 broches, PG-WHSON-8 OptiMOS 5
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N° de stock RS: 348-884Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IQDH29NE2LM5SCATMA1

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Infineon
-
Type N
MOSFET
789A
-
-
25V
-
-
OptiMOS 5
PG-WHSON-8
Surface
-
-
8
-
0.29mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
278W
-
60°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 220 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
MOSFET N Infineon 220 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
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N° de stock RS: 348-839Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IAUCN10S7N021ATMA1

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Infineon
-
Type N
MOSFET
220A
-
-
100V
-
-
OptiMOS 7
PG-TDSON-8-53
Surface
-
-
8
-
2.1mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
217W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 274 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
MOSFET N Infineon 274 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
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Infineon
-
Type N
MOSFET
274A
-
-
80V
-
-
OptiMOS 7
PG-TDSON-8-53
Surface
-
-
8
-
1.30mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
219W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 275 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS-TM5
MOSFET N Infineon 275 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS-TM5
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Infineon
-
Type N
MOSFET
275A
-
-
60V
-
-
OptiMOS-TM5
PG-TDSON-8 FL
Surface
-
-
8
-
1.55mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
217W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 656 A 40 V Enrichissement, 12 broches, PG-TSON-12 OptiMOS-TM6
MOSFET N Infineon 656 A 40 V Enrichissement, 12 broches, PG-TSON-12 OptiMOS-TM6
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Infineon
-
Type N
MOSFET
656A
-
-
40V
-
-
OptiMOS-TM6
PG-TSON-12
Surface
-
-
12
-
0.36mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
300W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
MOSFET N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
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Infineon
-
Type N
MOSFET
36.5A
-
-
950V
-
-
CoolMOS
PG-TO-247
Through Hole
-
-
3
-
130mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
227W
-
60°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
MOSFET N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
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Infineon
-
Type N
MOSFET
36.5A
-
-
950V
-
-
CoolMOS
PG-TO-247
Through Hole
-
-
3
-
130mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
227W
-
60°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 60 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
MOSFET N Infineon 60 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
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Infineon
-
Type N
MOSFET
60A
-
-
2000V
-
-
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
PG-TO-247-4-PLUS-NT14
Through Hole
-
-
4
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 60 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
MOSFET N Infineon 60 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
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Infineon
-
Type N
MOSFET
60A
-
-
2000V
-
-
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
PG-TO-247-4-PLUS-NT14
Through Hole
-
-
4
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
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-
Type N
MOSFET
142A
-
-
650V
-
-
CoolSiC MOSFET 650 V G1
PG-HSOF-8
Surface
-
-
8
-
42mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
294W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
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-
Type N
MOSFET
142A
-
-
650V
-
-
CoolSiC MOSFET 650 V G1
PG-HSOF-8
Surface
-
-
8
-
42mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
294W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
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-
Type N
MOSFET
196A
-
-
650V
-
-
CoolSiC MOSFET 650 V G1
PG-HSOF-8
Surface
-
-
8
-
30mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
375W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
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-
Type N
MOSFET
196A
-
-
650V
-
-
CoolSiC MOSFET 650 V G1
PG-HSOF-8
Surface
-
-
8
-
30mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
375W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
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-
Type N
MOSFET
-
-
-
120V
-
-
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TDSON-8 FL
Surface
-
-
8
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
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Infineon
-
Type N
MOSFET
-
-
-
120V
-
-
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TDSON-8 FL
Surface
-
-
8
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor Non
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor Non
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Infineon
-
Type N
MOSFET
-
-
-
120V
-
-
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSON-8
Surface
-
-
8
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor Non
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor Non
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-
Type N
MOSFET
-
-
-
120V
-
-
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSON-8
Surface
-
-
8
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
MOSFET N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
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-
Type N
MOSFET
24A
-
-
120V
-
-
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSDSON-8
Surface
-
-
8
-
33mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
43W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
MOSFET N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
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-
Type N
MOSFET
24A
-
-
120V
-
-
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSDSON-8
Surface
-
-
8
-
33mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
43W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET N Infineon 62 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
MOSFET N Infineon 62 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
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-
Type N
MOSFET
62A
-
-
120V
-
-
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSDSON-8
Surface
-
-
8
-
10.6mΩ
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-55°C
94W
-
85°C
-
-
-
-
-
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No

...