Transistors MOSFET

Les transistors MOSFET, appelés simplement MOSFET, qui signifie "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal" sont des dispositifs à transistor qui sont contrôlés par un condensateur. L'effet de champ des transistors MOSFET signifie qu'ils sont contrôlés par tension. Le but d'un transistor MOSFET est de contrôler le flux du courant passant de la source...

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MOSFET canal Type N Infineon 80 A 30 V N, 8 broches, TDSON BSC Non
MOSFET canal Type N Infineon 80 A 30 V N, 8 broches, TDSON BSC Non
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N° de stock RS: 258-7742Marque: InfineonN° de pièce Mfr: BSC050N03LSGATMA1

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Infineon
-
-
Type N
MOSFET
-
80A
30V
-
-
-
TDSON
BSC
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Surface
8
-
5mΩ
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N
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-
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No
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MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
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N° de stock RS: 257-5502Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRF7739L1TRPBF

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Infineon
-
-
Type N
MOSFET
-
270A
40V
-
-
-
DirectFET
DirectFET
-
Surface
-
-
1mΩ
-
-
-
-
-
-
3.8W
220nC
-
1.3V
-55°C
±20 V
-
175°C
-
RoHS, Lead-Free
-
-
-
-
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-
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-
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No
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-
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
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Infineon
-
-
Type N
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-
270A
40V
-
-
-
DirectFET
DirectFET
-
Surface
-
-
1mΩ
-
-
-
-
-
-
3.8W
220nC
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1.3V
-55°C
±20 V
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175°C
-
RoHS, Lead-Free
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No
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MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
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Infineon
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-
Type N
MOSFET
-
1.9A
55V
-
-
-
SOT-223
HEXFET Fifth Generation
-
Surface
-
-
0.16Ω
-
-
-
-
-
-
2.1W
7nC
-
1V
-55°C
20 V
-
150°C
-
Lead-Free
-
-
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-
-
-
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No
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MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
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Infineon
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-
Type N
MOSFET
-
1.9A
55V
-
-
-
SOT-223
HEXFET Fifth Generation
-
Surface
-
-
0.16Ω
-
-
-
-
-
-
2.1W
7nC
-
1V
-55°C
20 V
-
150°C
-
Lead-Free
-
-
-
-
-
-
-
-
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No
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MOSFET canal Type N Infineon 120 A 75 V, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 120 A 75 V, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
-
-
Type N
MOSFET
-
120A
75V
-
-
-
TO-263
HEXFET
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
6.3mΩ
-
-
-
-
-
-
200W
-
-
1.3V
-55°C
-
-
175°C
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
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-
MOSFET canal Type N Infineon 195 A 60 V, TO-220 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 195 A 60 V, TO-220 HEXFET Non
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Infineon
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-
Type N
MOSFET
-
195A
60V
-
-
-
TO-220
HEXFET
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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1.2V
-
-
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No
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No
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MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
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-
Type N
MOSFET
-
43A
150V
-
-
-
TO-263
HEXFET
-
Surface
3
-
0.042Ω
-
-
-
-
-
-
200W
20nC
-
1.3V
-55°C
20 V
-
175°C
-
EIA 418
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
-
-
Type N
MOSFET
-
43A
150V
-
-
-
TO-263
HEXFET
-
Surface
3
-
0.042Ω
-
-
-
-
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-
200W
20nC
-
1.3V
-55°C
20 V
-
175°C
-
EIA 418
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
No
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-
MOSFET canal Type N Infineon 76 A 200 V, TO-220 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 76 A 200 V, TO-220 HEXFET Non
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-
Type N
MOSFET
-
76A
200V
-
-
-
TO-220
HEXFET
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
20mΩ
-
-
-
-
-
-
375W
-
-
1.3V
-55°C
20 V
-
175°C
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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No
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-
-
MOSFET canal Type N Infineon 88 A 100 V, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 88 A 100 V, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
-
-
Type N
MOSFET
-
88A
100V
-
-
-
TO-263
HEXFET
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
10mΩ
-
-
-
-
-
-
200W
-
-
1.3V
-55°C
-
-
175°C
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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-
-
Type P
IR MOSFET
-
-4A
-30V
-
-
-
SO-8
HEXFET
-
Through Hole
8
-
160mΩ
-
-
-
Dual
-
-
-
16.7nC
-
-
-55°C
±20 V
-
175°C
-
RoHS
1.75mm
5mm
-
4 mm
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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-
-
Type P
IR MOSFET
-
-4A
-30V
-
-
-
SO-8
HEXFET
-
Through Hole
8
-
160mΩ
-
-
-
Dual
-
-
-
16.7nC
-
-
-55°C
±20 V
-
175°C
-
RoHS
1.75mm
5mm
-
4 mm
-
-
-
-
-
-
-
-
No
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-
-
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
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-
-
Type P
MOSFET
-
-21A
-30V
-
-
-
PQFN
HEXFET
-
Surface
8
-
3.7mΩ
-
-
-
-
-
-
3.1W
58nC
-
-1.2V
-55°C
20 V
-
150°C
-
RoHS
0.39mm
5mm
-
6 mm
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
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Infineon
-
-
Type P
MOSFET
-
-21A
-30V
-
-
-
PQFN
HEXFET
-
Surface
8
-
3.7mΩ
-
-
-
-
-
-
3.1W
58nC
-
-1.2V
-55°C
20 V
-
150°C
-
RoHS
0.39mm
5mm
-
6 mm
-
-
-
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-
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No
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MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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Infineon
-
-
Type P
MOSFET
-
5A
-
-
-
-
SO-8
HEXFET
-
Surface
8
-
0.13Ω
-
-
-
-
-
-
-
27nC
-
-1.2V
-
20 V
-
-
-
RoHS
1.75mm
5mm
-
4 mm
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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N° de stock RS: 258-8195Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRF7205TRPBF

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-
-
Type P
MOSFET
-
5A
-
-
-
-
SO-8
HEXFET
-
Surface
8
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0.13Ω
-
-
-
-
-
-
-
27nC
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-1.2V
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20 V
-
-
-
RoHS
1.75mm
5mm
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4 mm
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-
-
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No
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-
MOSFET canal Type N Infineon 50 A 30 V N, TO-263 IPD Non
MOSFET canal Type N Infineon 50 A 30 V N, TO-263 IPD Non
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Infineon
-
-
Type N
MOSFET
-
50A
30V
-
-
-
TO-263
IPD
-
Surface
-
-
-
-
-
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N
-
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No
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-
-
-
-
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MOSFET canal Type N Infineon 70 A 30 V N, TDSON IPD Non
MOSFET canal Type N Infineon 70 A 30 V N, TDSON IPD Non
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N° de stock RS: 258-7785Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD70N03S4L04ATMA1

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-
-
Type N
MOSFET
-
70A
30V
-
-
-
TDSON
IPD
-
Surface
-
-
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N
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No
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-
-
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No
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MOSFET canal Type P, Type N Infineon 6.8 A 30 V, 8 broches, SO-8 IRF
MOSFET canal Type P, Type N Infineon 6.8 A 30 V, 8 broches, SO-8 IRF
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-
-
Type P, Type N
MOSFET
-
6.8A
30V
-
-
-
SO-8
IRF
-
Surface
8
-
-
-
-
-
-
-
-
2W
8.1nC
-
1.2V
-55°C
±20 V
-
150°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
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