Transistors MOSFET

Les transistors MOSFET, appelés simplement MOSFET, qui signifie "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal" sont des dispositifs à transistor qui sont contrôlés par un condensateur. L'effet de champ des transistors MOSFET signifie qu'ils sont contrôlés par tension. Le but d'un transistor MOSFET est de contrôler le flux du courant passant de la source...

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MOSFET canal Type N Infineon 80 A 30 V N, 8 broches, TDSON BSC Non
MOSFET canal Type N Infineon 80 A 30 V N, 8 broches, TDSON BSC Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
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80A
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30V
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TDSON
BSC
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Surface
8
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5mΩ
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N
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No
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MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
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N° de stock RS: 257-5502Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRF7739L1TRPBF

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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
270A
-
40V
-
DirectFET
DirectFET
-
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Surface
-
-
-
1mΩ
-
-
-
-
-
3.8W
1.3V
±20 V
220nC
-55°C
-
-
-
175°C
RoHS, Lead-Free
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
270A
-
40V
-
DirectFET
DirectFET
-
-
Surface
-
-
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1mΩ
-
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3.8W
1.3V
±20 V
220nC
-55°C
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175°C
RoHS, Lead-Free
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No
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
1.9A
-
55V
-
SOT-223
HEXFET Fifth Generation
-
-
Surface
-
-
-
0.16Ω
-
-
-
-
-
2.1W
1V
20 V
7nC
-55°C
-
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150°C
Lead-Free
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
1.9A
-
55V
-
SOT-223
HEXFET Fifth Generation
-
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Surface
-
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-
0.16Ω
-
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-
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2.1W
1V
20 V
7nC
-55°C
-
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-
150°C
Lead-Free
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No
MOSFET canal Type N Infineon 120 A 75 V, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 120 A 75 V, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
120A
-
75V
-
TO-263
HEXFET
-
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
6.3mΩ
-
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-
-
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200W
1.3V
-
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-55°C
-
-
-
175°C
No
-
-
-
-
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-
-
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 195 A 60 V, TO-220 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 195 A 60 V, TO-220 HEXFET Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
195A
-
60V
-
TO-220
HEXFET
-
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
-
-
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1.2V
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No
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No
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
43A
-
150V
-
TO-263
HEXFET
-
-
Surface
3
-
-
0.042Ω
-
-
-
-
-
200W
1.3V
20 V
20nC
-55°C
-
-
-
175°C
EIA 418
-
-
-
-
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-
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-
No
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
43A
-
150V
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TO-263
HEXFET
-
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Surface
3
-
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0.042Ω
-
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200W
1.3V
20 V
20nC
-55°C
-
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-
175°C
EIA 418
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 76 A 200 V, TO-220 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 76 A 200 V, TO-220 HEXFET Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
76A
-
200V
-
TO-220
HEXFET
-
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
20mΩ
-
-
-
-
-
375W
1.3V
20 V
-
-55°C
-
-
-
175°C
No
-
-
-
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 88 A 100 V, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 88 A 100 V, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
88A
-
100V
-
TO-263
HEXFET
-
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
10mΩ
-
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-
-
-
200W
1.3V
-
-
-55°C
-
-
-
175°C
No
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
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No
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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Infineon
Type P
IR MOSFET
-
-
-
-4A
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-30V
-
SO-8
HEXFET
-
-
Through Hole
8
-
-
160mΩ
-
Dual
-
-
-
-
-
±20 V
16.7nC
-55°C
-
-
-
175°C
RoHS
1.75mm
4 mm
5mm
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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No
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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Infineon
Type P
IR MOSFET
-
-
-
-4A
-
-30V
-
SO-8
HEXFET
-
-
Through Hole
8
-
-
160mΩ
-
Dual
-
-
-
-
-
±20 V
16.7nC
-55°C
-
-
-
175°C
RoHS
1.75mm
4 mm
5mm
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-
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No
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
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Infineon
Type P
MOSFET
-
-
-
-21A
-
-30V
-
PQFN
HEXFET
-
-
Surface
8
-
-
3.7mΩ
-
-
-
-
-
3.1W
-1.2V
20 V
58nC
-55°C
-
-
-
150°C
RoHS
0.39mm
6 mm
5mm
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
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Infineon
Type P
MOSFET
-
-
-
-21A
-
-30V
-
PQFN
HEXFET
-
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Surface
8
-
-
3.7mΩ
-
-
-
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-
3.1W
-1.2V
20 V
58nC
-55°C
-
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150°C
RoHS
0.39mm
6 mm
5mm
-
-
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No
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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Infineon
Type P
MOSFET
-
-
-
5A
-
-
-
SO-8
HEXFET
-
-
Surface
8
-
-
0.13Ω
-
-
-
-
-
-
-1.2V
20 V
27nC
-
-
-
-
-
RoHS
1.75mm
4 mm
5mm
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
No
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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N° de stock RS: 258-8195Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRF7205TRPBF

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Infineon
Type P
MOSFET
-
-
-
5A
-
-
-
SO-8
HEXFET
-
-
Surface
8
-
-
0.13Ω
-
-
-
-
-
-
-1.2V
20 V
27nC
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-
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-
RoHS
1.75mm
4 mm
5mm
-
-
-
-
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-
No
MOSFET canal Type N Infineon 50 A 30 V N, TO-263 IPD Non
MOSFET canal Type N Infineon 50 A 30 V N, TO-263 IPD Non
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N° de stock RS: 258-7772Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD060N03LGATMA1

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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
50A
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30V
-
TO-263
IPD
-
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Surface
-
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N
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No
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No
MOSFET canal Type N Infineon 70 A 30 V N, TDSON IPD Non
MOSFET canal Type N Infineon 70 A 30 V N, TDSON IPD Non
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N° de stock RS: 258-7785Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPD70N03S4L04ATMA1

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Infineon
Type N
MOSFET
-
-
-
70A
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30V
-
TDSON
IPD
-
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Surface
-
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No
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MOSFET canal Type P, Type N Infineon 6.8 A 30 V, 8 broches, SO-8 IRF
MOSFET canal Type P, Type N Infineon 6.8 A 30 V, 8 broches, SO-8 IRF
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Infineon
Type P, Type N
MOSFET
-
-
-
6.8A
-
30V
-
SO-8
IRF
-
-
Surface
8
-
-
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-
-
-
-
2W
1.2V
±20 V
8.1nC
-55°C
-
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150°C
RoHS Compliant
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