Transistors MOSFET

Les transistors MOSFET, appelés simplement MOSFET, qui signifie "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal" sont des dispositifs à transistor qui sont contrôlés par un condensateur. L'effet de champ des transistors MOSFET signifie qu'ils sont contrôlés par tension. Le but d'un transistor MOSFET est de contrôler le flux du courant passant de la source...

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MOSFET N Infineon 789 A 25 V Enrichissement, 8 broches, PG-WHSON-8 OptiMOS 5
MOSFET N Infineon 789 A 25 V Enrichissement, 8 broches, PG-WHSON-8 OptiMOS 5
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N° de stock RS: 348-884Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IQDH29NE2LM5SCATMA1

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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
789A
-
-
25V
OptiMOS 5
PG-WHSON-8
-
Surface
-
-
8
0.29mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
278W
-
-
-
-
60°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 220 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
MOSFET N Infineon 220 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
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N° de stock RS: 348-839Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IAUCN10S7N021ATMA1

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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
220A
-
-
100V
OptiMOS 7
PG-TDSON-8-53
-
Surface
-
-
8
2.1mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
217W
-
-
-
-
85°C
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 274 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
MOSFET N Infineon 274 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8-53 OptiMOS 7
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
274A
-
-
80V
OptiMOS 7
PG-TDSON-8-53
-
Surface
-
-
8
1.30mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
219W
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 275 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS-TM5
MOSFET N Infineon 275 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS-TM5
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
275A
-
-
60V
OptiMOS-TM5
PG-TDSON-8 FL
-
Surface
-
-
8
1.55mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
217W
-
-
-
-
85°C
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 656 A 40 V Enrichissement, 12 broches, PG-TSON-12 OptiMOS-TM6
MOSFET N Infineon 656 A 40 V Enrichissement, 12 broches, PG-TSON-12 OptiMOS-TM6
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
656A
-
-
40V
OptiMOS-TM6
PG-TSON-12
-
Surface
-
-
12
0.36mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
300W
-
-
-
-
85°C
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
MOSFET N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
36.5A
-
-
950V
CoolMOS
PG-TO-247
-
Through Hole
-
-
3
130mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
227W
-
-
-
-
60°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
MOSFET N Infineon 36.5 A 950 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-247 CoolMOS
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
36.5A
-
-
950V
CoolMOS
PG-TO-247
-
Through Hole
-
-
3
130mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
227W
-
-
-
-
60°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 60 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
MOSFET N Infineon 60 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
60A
-
-
2000V
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
PG-TO-247-4-PLUS-NT14
-
Through Hole
-
-
4
-
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 60 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
MOSFET N Infineon 60 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
60A
-
-
2000V
CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
PG-TO-247-4-PLUS-NT14
-
Through Hole
-
-
4
-
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
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Type N
-
MOSFET
-
142A
-
-
650V
CoolSiC MOSFET 650 V G1
PG-HSOF-8
-
Surface
-
-
8
42mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
294W
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
MOSFET N Infineon 142 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
142A
-
-
650V
CoolSiC MOSFET 650 V G1
PG-HSOF-8
-
Surface
-
-
8
42mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
294W
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
196A
-
-
650V
CoolSiC MOSFET 650 V G1
PG-HSOF-8
-
Surface
-
-
8
30mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
375W
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
MOSFET N Infineon 196 A 650 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 CoolSiC MOSFET 650 V G1
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Type N
-
MOSFET
-
196A
-
-
650V
CoolSiC MOSFET 650 V G1
PG-HSOF-8
-
Surface
-
-
8
30mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
375W
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
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Type N
-
MOSFET
-
-
-
-
120V
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TDSON-8 FL
-
Surface
-
-
8
-
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
No
-
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TDSON-8 FL OptiMOS 6 Power Transistor Non
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
-
-
-
120V
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TDSON-8 FL
-
Surface
-
-
8
-
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
No
-
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor Non
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor Non
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Infineon
Type N
-
MOSFET
-
-
-
-
120V
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSON-8
-
Surface
-
-
8
-
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
No
-
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor Non
MOSFET 1 canal Type N Infineon 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor Non
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Type N
-
MOSFET
-
-
-
-
120V
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSON-8
-
Surface
-
-
8
-
-
-
-
Enhancement
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
MOSFET N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
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Type N
-
MOSFET
-
24A
-
-
120V
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSDSON-8
-
Surface
-
-
8
33mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
43W
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
MOSFET N Infineon 24 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
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Type N
-
MOSFET
-
24A
-
-
120V
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSDSON-8
-
Surface
-
-
8
33mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
43W
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-
MOSFET N Infineon 62 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
MOSFET N Infineon 62 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-TSDSON-8 OptiMOS 6 Power Transistor
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Type N
-
MOSFET
-
62A
-
-
120V
OptiMOS 6 Power Transistor
PG-TSDSON-8
-
Surface
-
-
8
10.6mΩ
-
-
-
Enhancement
-
-
-55°C
-
94W
-
-
-
-
85°C
-
RoHS Compliant
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
-

...