Transistors MOSFET

Les transistors MOSFET, appelés simplement MOSFET, qui signifie "transistors à effet de champ à semi-conducteur en oxyde de métal" sont des dispositifs à transistor qui sont contrôlés par un condensateur. L'effet de champ des transistors MOSFET signifie qu'ils sont contrôlés par tension. Le but d'un transistor MOSFET est de contrôler le flux du courant passant de la source...

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MOSFET canal Type N Infineon 80 A 30 V N, 8 broches, TDSON BSC Non
MOSFET canal Type N Infineon 80 A 30 V N, 8 broches, TDSON BSC Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
80A
-
-
30V
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BSC
TDSON
-
Surface
8
-
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5mΩ
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N
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No
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MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
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N° de stock RS: 257-5502Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRF7739L1TRPBF

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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
270A
-
-
40V
-
DirectFET
DirectFET
-
Surface
-
-
-
1mΩ
-
-
-
-
-
1.3V
-
-55°C
±20 V
220nC
3.8W
175°C
-
-
RoHS, Lead-Free
-
-
-
-
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-
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 270 A 40 V, DirectFET DirectFET Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
270A
-
-
40V
-
DirectFET
DirectFET
-
Surface
-
-
-
1mΩ
-
-
-
-
-
1.3V
-
-55°C
±20 V
220nC
3.8W
175°C
-
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RoHS, Lead-Free
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
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-
Type N
-
MOSFET
-
1.9A
-
-
55V
-
HEXFET Fifth Generation
SOT-223
-
Surface
-
-
-
0.16Ω
-
-
-
-
-
1V
-
-55°C
20 V
7nC
2.1W
150°C
-
-
Lead-Free
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
MOSFET canal Type N Infineon 1.9 A 55 V, SOT-223 HEXFET Fifth Generation Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
1.9A
-
-
55V
-
HEXFET Fifth Generation
SOT-223
-
Surface
-
-
-
0.16Ω
-
-
-
-
-
1V
-
-55°C
20 V
7nC
2.1W
150°C
-
-
Lead-Free
-
-
-
-
-
-
-
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 120 A 75 V, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 120 A 75 V, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
120A
-
-
75V
-
HEXFET
TO-263
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
6.3mΩ
-
-
-
-
-
1.3V
-
-55°C
-
-
200W
175°C
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET canal Type N Infineon 195 A 60 V, TO-220 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 195 A 60 V, TO-220 HEXFET Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
195A
-
-
60V
-
HEXFET
TO-220
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2V
-
-
-
-
-
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-
-
No
-
-
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-
-
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-
-
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-
-
-
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
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Type N
-
MOSFET
-
43A
-
-
150V
-
HEXFET
TO-263
-
Surface
3
-
-
0.042Ω
-
-
-
-
-
1.3V
-
-55°C
20 V
20nC
200W
175°C
-
-
EIA 418
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 43 A 150 V, 3 broches, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
43A
-
-
150V
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HEXFET
TO-263
-
Surface
3
-
-
0.042Ω
-
-
-
-
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1.3V
-
-55°C
20 V
20nC
200W
175°C
-
-
EIA 418
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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No
MOSFET canal Type N Infineon 76 A 200 V, TO-220 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 76 A 200 V, TO-220 HEXFET Non
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-
Type N
-
MOSFET
-
76A
-
-
200V
-
HEXFET
TO-220
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
20mΩ
-
-
-
-
-
1.3V
-
-55°C
20 V
-
375W
175°C
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET canal Type N Infineon 88 A 100 V, TO-263 HEXFET Non
MOSFET canal Type N Infineon 88 A 100 V, TO-263 HEXFET Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
88A
-
-
100V
-
HEXFET
TO-263
-
Montage sur circuit imprimé
-
-
-
10mΩ
-
-
-
-
-
1.3V
-
-55°C
-
-
200W
175°C
-
-
No
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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Infineon
-
Type P
-
IR MOSFET
-
-4A
-
-
-30V
-
HEXFET
SO-8
-
Through Hole
8
-
-
160mΩ
-
Dual
-
-
-
-
-
-55°C
±20 V
16.7nC
-
175°C
-
-
RoHS
-
5mm
4 mm
1.75mm
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET IR canal Type P Infineon -4 A -30 V Double, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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Infineon
-
Type P
-
IR MOSFET
-
-4A
-
-
-30V
-
HEXFET
SO-8
-
Through Hole
8
-
-
160mΩ
-
Dual
-
-
-
-
-
-55°C
±20 V
16.7nC
-
175°C
-
-
RoHS
-
5mm
4 mm
1.75mm
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
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Infineon
-
Type P
-
MOSFET
-
-21A
-
-
-30V
-
HEXFET
PQFN
-
Surface
8
-
-
3.7mΩ
-
-
-
-
-
-1.2V
-
-55°C
20 V
58nC
3.1W
150°C
-
-
RoHS
-
5mm
6 mm
0.39mm
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET Non
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Infineon
-
Type P
-
MOSFET
-
-21A
-
-
-30V
-
HEXFET
PQFN
-
Surface
8
-
-
3.7mΩ
-
-
-
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-
-1.2V
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-55°C
20 V
58nC
3.1W
150°C
-
-
RoHS
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5mm
6 mm
0.39mm
-
-
-
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-
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MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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-
Type P
-
MOSFET
-
5A
-
-
-
-
HEXFET
SO-8
-
Surface
8
-
-
0.13Ω
-
-
-
-
-
-1.2V
-
-
20 V
27nC
-
-
-
-
RoHS
-
5mm
4 mm
1.75mm
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
MOSFET canal Type P Infineon 5 A, 8 broches, SO-8 HEXFET Non
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N° de stock RS: 258-8195Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRF7205TRPBF

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-
Type P
-
MOSFET
-
5A
-
-
-
-
HEXFET
SO-8
-
Surface
8
-
-
0.13Ω
-
-
-
-
-
-1.2V
-
-
20 V
27nC
-
-
-
-
RoHS
-
5mm
4 mm
1.75mm
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
No
MOSFET canal Type N Infineon 50 A 30 V N, TO-263 IPD Non
MOSFET canal Type N Infineon 50 A 30 V N, TO-263 IPD Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
50A
-
-
30V
-
IPD
TO-263
-
Surface
-
-
-
-
-
N
-
-
-
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-
-
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-
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No
-
-
-
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-
-
-
-
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-
No
MOSFET canal Type N Infineon 70 A 30 V N, TDSON IPD Non
MOSFET canal Type N Infineon 70 A 30 V N, TDSON IPD Non
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Infineon
-
Type N
-
MOSFET
-
70A
-
-
30V
-
IPD
TDSON
-
Surface
-
-
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N
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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No
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-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
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No
MOSFET canal Type P, Type N Infineon 6.8 A 30 V, 8 broches, SO-8 IRF
MOSFET canal Type P, Type N Infineon 6.8 A 30 V, 8 broches, SO-8 IRF
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Infineon
-
Type P, Type N
-
MOSFET
-
6.8A
-
-
30V
-
IRF
SO-8
-
Surface
8
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2V
-
-55°C
±20 V
8.1nC
2W
150°C
-
-
RoHS Compliant
-
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