Photo diode, ams OSRAM, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-18
Documents techniques
Spécifications
Brand
ams OSRAMSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
850nm
Type de conditionnement
TO-18
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Temps de chute
0.012µs
Largeur
5.5mm
Diamètre
4.8mm
Temps de croissance
0.012µs
Courant de court-circuit
10µA
Polarité
Positif
Détails du produit
Boîtier TO-18 pour photodiode PIN
La photodiode PIN BPX 65 d'OSRAM Opto Semiconductors est proposée en boîtiers métalliques TO-18. Le boîtier métallique est scellé hermétiquement, ce qui rend la série BPX 65 idéale pour les applications dans des environnements difficiles jusqu'à 125 °C. D'autres applications adaptées incluent l'électronique industrielle, les détecteurs photo haute vitesse et les circuits de commande/d'attaque.
Caractéristiques de la photodiode PIN en silicium BPX 65 :
Boîtier métallique TO-18
Montage traversant
Longueur d'onde : 350 à 1 100 nm
Court temps de commutation.
IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors
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€ 434,64
€ 3,622 Each (In a Tray of 120) (hors TVA)
120
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Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Temps de chute
0.012µs
Largeur
5.5mm
Diamètre
4.8mm
Temps de croissance
0.012µs
Courant de court-circuit
10µA
Polarité
Positif
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Boîtier TO-18 pour photodiode PIN
La photodiode PIN BPX 65 d'OSRAM Opto Semiconductors est proposée en boîtiers métalliques TO-18. Le boîtier métallique est scellé hermétiquement, ce qui rend la série BPX 65 idéale pour les applications dans des environnements difficiles jusqu'à 125 °C. D'autres applications adaptées incluent l'électronique industrielle, les détecteurs photo haute vitesse et les circuits de commande/d'attaque.
Caractéristiques de la photodiode PIN en silicium BPX 65 :
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