Documents techniques
Spécifications
Taille mémoire
16Mbit
Configuration
1M mots x 16 bits
Nombre de mots
1M
Nombre de bits par mot
16bit
Temps d'accès aléatoire maximum
55ns
Largeur de bus d'adresse
20bit
Faible consommation
Yes
Type de timing
Asynchronous
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TSOP I
Nombre de broche
48
Dimensions
12 x 18.4 x 1.05mm
Hauteur
1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
12mm
Largeur
18.4mm
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.2 V
Détails du produit
Mémoire RAM statique asynchrone, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Prix sur demande
Paquet de production (Plateau)
1
Prix sur demande
Paquet de production (Plateau)
1
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Spécifications
Taille mémoire
16Mbit
Configuration
1M mots x 16 bits
Nombre de mots
1M
Nombre de bits par mot
16bit
Temps d'accès aléatoire maximum
55ns
Largeur de bus d'adresse
20bit
Faible consommation
Yes
Type de timing
Asynchronous
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
TSOP I
Nombre de broche
48
Dimensions
12 x 18.4 x 1.05mm
Hauteur
1.05mm
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Longueur
12mm
Largeur
18.4mm
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.2 V
Détails du produit