Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Largeur
4.57mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Taille
15.95mm
Séries
OptiMOS 3
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
150 V
Type de conditionnement
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 10 V
Largeur
4.57mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Taille
15.95mm
Séries
OptiMOS 3
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China