MOSFET Infineon canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches

N° de stock RS: 215-2539Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IPP60R099P7XKSA1
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

31 A

Tension Drain Source maximum

600 V

Séries

CoolMOS™ P7

Type de conditionnement

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

0,099 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

117 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

± 20 V

Largeur

15.95mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.36mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

4.57mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

0.9V

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€ 19,81

€ 3,962 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, A-220 31 A 600 V, 3 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 5.

Production -

Disponible en multiples de 5.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

5

Disponible en multiples de 5
5€ 19,81
10€ 39,62
15€ 59,43
20€ 79,24
25€ 83,22
30€ 99,86
35€ 116,51
40€ 133,15
45€ 149,79
50€ 156,50
55€ 172,15
60€ 187,80
65€ 203,45
70€ 219,10
75€ 234,75

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
5 - 20€ 3,962€ 19,81
25 - 45€ 3,329€ 16,64
50 - 120€ 3,13€ 15,65
125 - 245€ 2,892€ 14,46
250+€ 2,695€ 13,48

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Infineon

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N

Courant continu de Drain maximum

31 A

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600 V

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Type de conditionnement

A-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum

0,099 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

117 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

± 20 V

Largeur

15.95mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.36mm

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