MOSFET Infineon canal N, DirectFET ISOMETRIC 35 A 150 V

N° de stock RS: 130-0946Marque: InfineonN° de pièce Mfr: IRF6643TRPBF
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

35 A

Tension Drain Source maximum

150 V

Série

DirectFET, HEXFET

Type de conditionnement

DirectFET isométrique

Type de fixation

CMS

Résistance Drain Source maximum

34,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.9V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

89 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5.05mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.35mm

Charge de Grille type @ Vgs

39 nF @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

0.59mm

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Tension directe de la diode

1.3V

Détails du produit

Transistor MOSFET audio numérique, Infineon

Les amplificateurs classe D deviennent rapidement la solution privilégiée pour les systèmes audio et vidéo professionnels et grand public. Infineon propose une gamme complète qui simplifie la conception des amplificateurs de classe D haute efficacité.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Prix ​​sur demande

Each (In a Pack of 2) (hors TVA)

MOSFET Infineon canal N, DirectFET ISOMETRIC 35 A 150 V
Sélectionner le type d'emballage

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N

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35 A

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Type de fixation

CMS

Résistance Drain Source maximum

34,5 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.9V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

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89 W

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

5.05mm

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1

Longueur

6.35mm

Charge de Grille type @ Vgs

39 nF @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

0.59mm

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Tension directe de la diode

1.3V

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