IGBT, IXGH32N170, , 75 A, 1700 V, TO-247AD, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
IXYSCourant continu de Collecteur maximum
75 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1 700 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Type de conditionnement
TO-247AD
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Longueur
16.26mm
Largeur
5.3mm
Taille
21.46mm
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
IGBT Discrétes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 19,75
€ 19,75 Each (hors TVA)
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 19,75 |
| 5 - 19 | € 17,01 |
| 20 - 49 | € 16,29 |
| 50 - 99 | € 14,77 |
| 100+ | € 14,40 |
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Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Longueur
16.26mm
Largeur
5.3mm
Taille
21.46mm
Dimensions
16.26 x 5.3 x 21.46mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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