Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN/PNP
Courant continu de Collecteur maximum
1 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
60 V
Type de conditionnement
TSOP I
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Gain en courant DC minimum
250
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
220 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Dimensions
1 x 3.1 x 1.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Doubles transistors NPN/PNP à faible tension de saturation, Nexperia
Une gamme de transistors de jonction bipolaires NPN/PNP doubles à faible tension de saturation, NXP BISS (Breakthrough In Small Signal). Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
€ 4,86
€ 0,243 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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NPN/PNP
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1 A
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60 V
Type de conditionnement
TSOP I
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
700 mW
Gain en courant DC minimum
250
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
220 MHz
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Dimensions
1 x 3.1 x 1.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Doubles transistors NPN/PNP à faible tension de saturation, Nexperia
Une gamme de transistors de jonction bipolaires NPN/PNP doubles à faible tension de saturation, NXP BISS (Breakthrough In Small Signal). Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.