Diode Zener NXP, 4.7V, Traversant, dissip. ≤ 500 mW DO-35
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPConfiguration de diode
Single
Tension zener nominal
4.7V
Nombre d'éléments par circuit
1
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Type de conditionnement
DO-35
Type de zener
Régulateur de tension
Tolérance de la tension zener
2%
Nombre de broche
2
Courant de test
5mA
Impédance zener maximum
80Ω
Courant de fuite inverse maximum
3µA
Dimensions
4.25 x 1.85 x 1.85mm
Température d'utilisation maximum
+200 °C
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Coefficient de Tension température typique
-1.4mV/°C
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
100
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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DO-35
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2%
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2
Courant de test
5mA
Impédance zener maximum
80Ω
Courant de fuite inverse maximum
3µA
Dimensions
4.25 x 1.85 x 1.85mm
Température d'utilisation maximum
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