Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de boîtier
Boîtier 267-05
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Filetage sur cathode
Type de redressement
Commutation
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.85V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
100ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
70A
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
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ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de boîtier
Boîtier 267-05
Courant direct continu maximum
4A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Filetage sur cathode
Type de redressement
Commutation
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.85V
Nombre d'éléments par circuit
1
Temps de recouvrement inverse crête
100ns
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
70A