Diode traversante onsemi, 4A, 1000V, Boîtier 267-05

N° de stock RS: 348-6520Marque: ON SemiconductorN° de pièce Mfr: MUR4100E
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Documents techniques

Spécifications

Type de montage

Through Hole

Type de boîtier

Boîtier 267-05

Courant direct continu maximum

4A

Tension inverse de crête répétitive

1000V

Configuration de diode

Filetage sur cathode

Type de redressement

Commutation

Type diode

Jonction au silicium

Nombre de broche

2

Chute minimale de tension directe

1.85V

Nombre d'éléments par circuit

1

Temps de recouvrement inverse crête

100ns

courant direct de surcharge non-répétitif de crête

70A

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Prix ​​sur demande

Diode traversante onsemi, 4A, 1000V, Boîtier 267-05

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Type de redressement

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Jonction au silicium

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2

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