Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
1.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
80 V
Type de boîtier
TO-126
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
12.5 W
Gain en courant DC minimum
100
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, 60 à 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 10,41
€ 0,174 Each (In a Tube of 60) (hors TVA)
60
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1.5 A
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TO-126
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
12.5 W
Gain en courant DC minimum
100
Configuration du transistor
Single
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80 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
8 x 3.25 x 11mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, 60 à 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.