Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
8 to 80mA
Tension Drain Source maximum
0.4 V
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.97mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 16,20
€ 0,162 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 16,20
€ 0,162 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,162 | € 16,20 |
500 - 900 | € 0,14 | € 13,97 |
1000+ | € 0,121 | € 12,11 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
8 to 80mA
Tension Drain Source maximum
0.4 V
Tension Grille Source maximum
-40 V
Tension Drain Grille maximum
40V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Longueur
2.9mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.3mm
Taille
0.97mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.