Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorCourant moyen à l'état passant
2.55A
Type de Thyristor
Thyristor
Type de conditionnement
TO-225
Tension inverse de crête Répétitive
600V
Courant de surcharge
20A
Type de fixation
Through Hole
Courant de déclenchement de Grille maximum
0.2mA
Tension de déclenchement de Grille maximum
0.8V
Courant de maintien maximum
3mA
Nombre de broche
3
Dimensions
7.74 x 2.66 x 11.04mm
Température d'utilisation maximum
+110 °C
Courant de crête répétitif à l'état bloqué
0.01mA
Tension de crête à l'état passant
2.2V
Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué
600V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Prix sur demande
1
Prix sur demande
1
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Spécifications
Brand
ON SemiconductorCourant moyen à l'état passant
2.55A
Type de Thyristor
Thyristor
Type de conditionnement
TO-225
Tension inverse de crête Répétitive
600V
Courant de surcharge
20A
Type de fixation
Through Hole
Courant de déclenchement de Grille maximum
0.2mA
Tension de déclenchement de Grille maximum
0.8V
Courant de maintien maximum
3mA
Nombre de broche
3
Dimensions
7.74 x 2.66 x 11.04mm
Température d'utilisation maximum
+110 °C
Courant de crête répétitif à l'état bloqué
0.01mA
Tension de crête à l'état passant
2.2V
Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué
600V
Température de fonctionnement minimum
-40 °C