Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
12 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-400 V
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Gain en courant DC minimum
8, 15
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors haute tension NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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Paquet de production (Tube)
5
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NPN
Courant continu de Collecteur maximum
12 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
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Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
100000 mW
Gain en courant DC minimum
8, 15
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
700 V
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
9.9 x 4.5 x 9.2mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors haute tension NPN, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.