JFET, MMBF4393LT1G, Canal-N, 30 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
5 to 30mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
+30 V
Tension Drain Grille maximum
30V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
100 Ω
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
14pF
Capacitance Source Grille ON
14pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Taille
1.01mm
Largeur
1.4mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 11,73
€ 0,235 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 11,73
€ 0,235 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,235 | € 11,73 |
| 500 - 950 | € 0,202 | € 10,09 |
| 1000+ | € 0,175 | € 8,74 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
5 to 30mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Tension Grille Source maximum
+30 V
Tension Drain Grille maximum
30V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
100 Ω
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
14pF
Capacitance Source Grille ON
14pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Taille
1.01mm
Largeur
1.4mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.