JFET, MMBFJ177LT1G, Canal-P, Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
1.5 to 20mA
Tension Drain Grille maximum
25V dc
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
300 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
11pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.01mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 263,99
€ 0,088 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3
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Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Longueur
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Température d'utilisation maximum
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Taille
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