Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
1.5 to 20mA
Tension Drain Grille maximum
25V dc
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
300 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broches
3
Capacitance Source Grille ON
11pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 2,12
€ 0,212 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 2,12
€ 0,212 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,212 | € 2,12 |
100 - 240 | € 0,103 | € 1,03 |
250 - 490 | € 0,098 | € 0,98 |
500 - 990 | € 0,092 | € 0,92 |
1000+ | € 0,076 | € 0,76 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
1.5 to 20mA
Tension Drain Grille maximum
25V dc
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
300 Ω
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Nombre de broches
3
Capacitance Source Grille ON
11pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.