Photo diode, OSI Optoelectronics, Infrarouge, Si, Traversant, boîtier TO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrared
Pic de sensibilité de longueur d'onde
436nm
Type de conditionnement
TO-8
Type de montage
Through Hole
Fonction d'amplificateur
No
Nombre de broches
3
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Hauteur
0.17in
Diamètre
13.97mm
Photosensibilité de pointe
0.21A/W
Polarité
Inverse
Temps de croissance
30µs
Série
OSD
Pays d'origine
United States
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€ 1 497,86
€ 149,786 Each (In a Tray of 10) (hors TVA)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Plateau |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 149,786 | € 1 497,86 |
| 20+ | € 144,244 | € 1 442,44 |
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No
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3
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
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Hauteur
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Diamètre
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