Photo diode, OSI Optoelectronics, lumière visible + IR, Si, Traversant, boîtier TO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
OSI OptoelectronicsSpectres détectés
Infrarouge, Lumière visible
Pic de sensibilité de longueur d'onde
970nm
Type de conditionnement
TO-8
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
2
Matériau de la diode
Si
Longueur d'onde minimum détectée
350nm
Longueur d'onde maximum détectée
1100nm
Longueur
13.97mm
Largeur
13.97mm
Taille
5mm
Photosensibilité de pointe
0.65A/W
Polarité
Inverse
Pays d'origine
United States
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Prix sur demande
1
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