Documents techniques
Spécifications
Brand
SpansionTaille mémoire
128Mbit
Type d'interface
Parallel
Type de conditionnement
TSOP I
Nombre de broche
56
Configuration
8 Mb x 16 bits
Type de fixation
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Organisation des blocs
Symétrique
Longueur
18.5mm
Taille
1.05mm
Largeur
14.1mm
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
90ns
Nombre de mots
8M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
16bit
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 7) (hors TVA)
Standard
7
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7
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Brand
SpansionTaille mémoire
128Mbit
Type d'interface
Parallel
Type de conditionnement
TSOP I
Nombre de broche
56
Configuration
8 Mb x 16 bits
Type de fixation
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Organisation des blocs
Symétrique
Longueur
18.5mm
Taille
1.05mm
Largeur
14.1mm
Dimensions
18.5 x 14.1 x 1.05mm
Température d'utilisation maximum
85 °C
Temps d'accès aléatoire maximum
90ns
Nombre de mots
8M
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
16bit
Pays d'origine
Thailand
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.