Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
119 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
SCTWA90N65G2V-4
Type de conditionnement
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
0,024 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC
€ 784,38
€ 26,146 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 784,38
€ 26,146 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
119 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
SCTWA90N65G2V-4
Type de conditionnement
HiP247-4
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum
0,024 O
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
SiC