Transistor Darlington, NPN, 1,75 A, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches

N° de stock RS: 633-650PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: ULN2068B
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Documents techniques

Spécifications

Type de transistor

NPN

Courant continu de Collecteur maximum

1.75 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

-50 V

Tension Emetteur Base maximum

50 V

Type de boîtier

PDIP W

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

16

Configuration du transistor

Emetteur commun

Nombre d'éléments par circuit

4

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.4 V

Température de fonctionnement minimum

-20 °C

Taille

5.1mm

Dimensions

20 x 7.1 x 5.1mm

Température d'utilisation maximum

85 °C

Longueur

20mm

Largeur

7.1mm

Détails du produit

Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics

Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.

Darlington Transistor Drivers

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Prix ​​sur demande

Transistor Darlington, NPN, 1,75 A, 50 V, PDIP, Traversant, 16 broches
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Type de transistor

NPN

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1.75 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

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50 V

Type de boîtier

PDIP W

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

16

Configuration du transistor

Emetteur commun

Nombre d'éléments par circuit

4

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.4 V

Température de fonctionnement minimum

-20 °C

Taille

5.1mm

Dimensions

20 x 7.1 x 5.1mm

Température d'utilisation maximum

85 °C

Longueur

20mm

Largeur

7.1mm

Détails du produit

Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics

Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.

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