Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
120 V
Type de conditionnement
SMini
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
120 V
Tension Emetteur Base maximum
120 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
€ 5,62
€ 0,225 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
€ 5,62
€ 0,225 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
25
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,225 | € 5,62 |
125 - 225 | € 0,197 | € 4,93 |
250 - 475 | € 0,193 | € 4,81 |
500 - 1225 | € 0,188 | € 4,70 |
1250+ | € 0,183 | € 4,58 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
120 V
Type de conditionnement
SMini
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
0,15 W
Gain en courant DC minimum
200
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
120 V
Tension Emetteur Base maximum
120 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Pays d'origine
Japan
Détails du produit