MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 4,1 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.1 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Type de conditionnement
TO-220AB, TO-220FL
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.7mm
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
9.01mm
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 71,88
€ 1,438 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,438 | € 71,88 |
| 100 - 200 | € 1,251 | € 62,53 |
| 250+ | € 1,064 | € 53,18 |
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.7mm
Longueur
10.41mm
Charge de Grille type @ Vgs
78 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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