Thyristor Vishay, 10A, 90mA, 1200V, D2PAK (TO-263), 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayCourant moyen à l'état passant
10A
Type de Thyristor
SCR
Type de conditionnement
D2PAK (TO-263)
Tension inverse de crête Répétitive
1200V
Courant de surcharge
200A
Type de montage
CMS
Courant de déclenchement de Grille maximum
90mA
Tension de déclenchement de Grille maximum
3V
Courant de maintien maximum
150mA
Nombre de broche
3
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué
1200V
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Tension de crête à l'état passant
1.4V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Thyristors à contrôle de phase, Vishay Semiconductor
Thyristors - Vishay Semiconductor
A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
Encapsulated modules with electrically isolated base plate. Suitable for applications such as battery chargers, welders and plating equipment, regulated power supplies and temperature and speed control circuits.
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€ 50,87
€ 1,017 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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CMS
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90mA
Tension de déclenchement de Grille maximum
3V
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3
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Tension directe de crête répétitive à l'état bloqué
1200V
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Tension de crête à l'état passant
1.4V
Pays d'origine
China
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Thyristors à contrôle de phase, Vishay Semiconductor
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A Thyristor is a solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased. Thyristors are synonymous to Silicon-Controlled Rectifier (SCR).
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