IGBT, ISL9V5036S3ST, , 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Courant continu de Collecteur maximum
46 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
420 V
Tension Grille Emetteur maximum
±14V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 35,70
€ 3,57 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Paquet de production (Bobine)
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 10 - 95 | € 3,57 | € 17,85 |
| 100 - 245 | € 2,855 | € 14,27 |
| 250 - 495 | € 2,693 | € 13,47 |
| 500+ | € 2,543 | € 12,72 |
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Type de boîtier
D2PAK (TO-263)
Type de montage
CMS
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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