Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
175 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
2 x 1.25 x 0.8mm
Détails du produit
Transistors bipolaires RF, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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Spécifications
Brand
InfineonType de transistor
NPN
Tension Collecteur Emetteur maximum
12 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
175 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
2 V
Nombre de broche
6
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
2 x 1.25 x 0.8mm
Détails du produit