IGBT, IKW15N120H3FKSA1, , 30 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonCourant continu de Collecteur maximum
30 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
1200 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
217 W
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.03 x 5.16 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Détails du produit
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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€ 10,28
€ 5,139 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 5,139 | € 10,28 |
| 20 - 48 | € 4,576 | € 9,15 |
| 50 - 98 | € 4,271 | € 8,54 |
| 100 - 198 | € 3,96 | € 7,92 |
| 200+ | € 3,696 | € 7,39 |
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30 A
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217 W
Type de conditionnement
TO-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
16.03 x 5.16 x 21.1mm
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
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• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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