Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
8Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
48
Configuration
1M x 8 bits, 512K x 16 bits
Type de montage
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Organisation des blocs
Asymmetrical
Longueur
12.1mm
Hauteur
1.05mm
Largeur
18.5mm
Dimensions
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Temps d'accès aléatoire maximum
70ns
Séries
S29AL
Nombre de mots
1M, 512k
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
8 bit, 16 bit
Température d'utilisation maximum
85 °C
Standard automobile
AEC-Q100
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
€ 181,48
€ 1,89 Each (In a Tray of 96) (hors TVA)
96
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
InfineonTaille mémoire
8Mbit
Type d'interface
CFI, Parallèle
Type de boîtier
TSOP I
Nombre de broche
48
Configuration
1M x 8 bits, 512K x 16 bits
Type de montage
CMS
Type de cellule
NOR
Tension d'alimentation de fonctionnement minimum
2.7 V
Tension d'alimentation fonctionnement maximum
3.6 V
Organisation des blocs
Asymmetrical
Longueur
12.1mm
Hauteur
1.05mm
Largeur
18.5mm
Dimensions
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Temps d'accès aléatoire maximum
70ns
Séries
S29AL
Nombre de mots
1M, 512k
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Nombre de bits par mot
8 bit, 16 bit
Température d'utilisation maximum
85 °C
Standard automobile
AEC-Q100
Pays d'origine
United States
Détails du produit
Mémoire Flash NOR parallèle, Cypress Semiconductor
Grandes performances.
Accès aléatoire rapide et largeur de bande élevée
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.