Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
420
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors NPN à petit signal
Bipolar Transistors, Nexperia
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
45 V
Type de boîtier
SOT-23 (TO-236AB)
Type de montage
CMS
Dissipation de puissance maximum
250 mW
Gain en courant DC minimum
420
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
50 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1 x 3 x 1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit