Transistor, PNP Simple, -5 A, -20 V, UPAK, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NexperiaType de transistor
PNP
Courant continu de Collecteur maximum
-5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-20 V
Type de conditionnement
UPAK
Type de fixation
CMS
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Gain en courant DC minimum
300
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broches
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
Bipolar Transistors, Nexperia
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€ 3,38
€ 0,338 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,338 | € 3,38 |
| 100 - 190 | € 0,215 | € 2,15 |
| 200 - 990 | € 0,211 | € 2,11 |
| 1000 - 1990 | € 0,205 | € 2,05 |
| 2000+ | € 0,199 | € 1,99 |
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PNP
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-5 A
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Type de conditionnement
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Type de fixation
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Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Gain en courant DC minimum
300
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
20 V
Tension Emetteur Base maximum
5 V
Fréquence de fonctionnement maximum
100 MHz
Nombre de broches
4
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors PNP basse tension de saturation
Une gamme de transistors bipolaires à jonction PNP à faible tension de saturation BISS ("Breakthrough In Small Signal") NXP. Ces appareils offrent une très faible tension de saturation de l'émetteur/du collecteur et de grandes capacités de courant du collecteur dans des boîtiers compacts de gain de place. La réduction des pertes de ces transistors entraîne une génération de chaleur plus faible et une augmentation globale du rendement lorsqu'ils sont utilisés dans des applications de commutation et numériques.
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