Diode PIN, BAP51-06W,115, 50mA 50V UMT, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
NXPConfiguration de diode
Anode commune
Nombre d'éléments par circuit
2
Courant direct maximum
50mA
Tension inverse maximum
50V
Durée de vie de porteuse typique
0.55µs
Tension directe maximum
1.1V
Type de montage
CMS
Type d'emballage
UMT
Nombre de broche
3
Capacitance de diode maximum
0.35pF
Résistance de série maximum @ IF maximum
2.5 Ω@ 10 mA
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1mm
Taille
1mm
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes PIN, NXP Semiconductors
Large gamme de diodes PIN adaptées pour l'utilisation dans les applications de commutation RF et d'atténuateur.
Diodes and Rectifiers, NXP Semiconductors
NXP offers an extensive range of switching diodes, in different packages and configurations.
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€ 7,69
€ 0,154 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 7,69
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Paquet de production (Bobine)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,154 | € 1,54 |
| 100 - 240 | € 0,146 | € 1,46 |
| 250 - 490 | € 0,136 | € 1,36 |
| 500+ | € 0,129 | € 1,30 |
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2
Courant direct maximum
50mA
Tension inverse maximum
50V
Durée de vie de porteuse typique
0.55µs
Tension directe maximum
1.1V
Type de montage
CMS
Type d'emballage
UMT
Nombre de broche
3
Capacitance de diode maximum
0.35pF
Résistance de série maximum @ IF maximum
2.5 Ω@ 10 mA
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1mm
Taille
1mm
Longueur
2.2mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.35mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Pays d'origine
China
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