Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type d'emballage
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Jonction au silicium
Diamètre
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Pays d'origine
China
Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
1000
Prix sur demande
Each (In a Bag of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type d'emballage
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Jonction au silicium
Diamètre
2.7mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Pays d'origine
China