Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de conditionnement
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Switching
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Jonction au silicium
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A
Prix sur demande
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de conditionnement
DO-41SS
Courant direct continu maximum
1A
Tension inverse de crête répétitive
1000V
Configuration de diode
Single
Type de redressement
Switching
Type diode
Silicon Junction
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
1.1V
Nombre d'éléments par circuit
1
Technologie de diode
Jonction au silicium
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
30A