Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
30 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Tension Collecteur Base maximum
30 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
0.6 V
Prix sur demande
Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
5
Prix sur demande
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Paquet de production (Bande)
5
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Brand
ON SemiconductorType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
30 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
625 mW
Tension Collecteur Base maximum
30 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
0.6 V