Transistor, NPN, 5 A, TO-220F, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
5 A
Type de boîtier
TO-220F
Type de fixation
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
40 W
Gain en courant DC minimum
20
Nombre de broches
3
Température d'utilisation maximum
+125 °C
Dimensions
10.36 x 4.9 x 16.07mm
Détails du produit
Transistor de puissance ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Transistor de puissance ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistors de puissance NPN bipolaires conçus pour une utilisation dans les configurations ESBC™ (Emitter-Switched Bipolar/MOSFET Cascode) avec les circuits MOSFET d'alimentation appropriés. Cette configuration des contacts d'alimentation offre une efficacité, une flexibilité et une robustesse accrues ainsi qu'une puissance d'entraînement réduite grâce à l'absence de condensateur Miller dans la conception.
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