Diode traversante onsemi, 6A, 600V, Boîtier 194
Documents techniques
Spécifications
Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de boîtier
Boîtier 194
Courant direct continu maximum
6A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Single
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
900mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Diamètre
8.69mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
400A
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Brand
ON SemiconductorType de montage
Through Hole
Type de boîtier
Boîtier 194
Courant direct continu maximum
6A
Tension inverse de crête répétitive
600V
Configuration de diode
Single
Type diode
Jonction au silicium
Nombre de broche
2
Chute minimale de tension directe
900mV
Nombre d'éléments par circuit
1
Diamètre
8.69mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
400A