JFET, 2SK3557-7-TB-E, Canal-N, 15 V Simple CP, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
16 to 32mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broches
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.1mm
Largeur
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 61,25
€ 0,306 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
200
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Paquet de production (Bobine)
200
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,306 | € 6,12 |
| 500 - 980 | € 0,266 | € 5,33 |
| 1000 - 1980 | € 0,233 | € 4,67 |
| 2000+ | € 0,212 | € 4,25 |
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N
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16 to 32mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Drain Grille maximum
-15V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
CP
Nombre de broches
3
Capacitance Drain Grille
10pF
Capacitance Source Grille ON
2.9pF
Dimensions
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.1mm
Largeur
1.5mm
Pays d'origine
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