Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
65 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Gain en courant DC minimum
110
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, 60 à 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 99,83
€ 0,05 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
2000
€ 99,83
€ 0,05 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
2000
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Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
---|---|---|
2000 - 4000 | € 0,05 | € 99,83 |
6000+ | € 0,048 | € 95,08 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
100 mA
Tension Collecteur Emetteur maximum
65 V
Type de boîtier
TO-92
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Gain en courant DC minimum
110
Configuration du transistor
Single
Tension Collecteur Base maximum
80 V
Tension Emetteur Base maximum
6 V
Fréquence de fonctionnement maximum
300 MHz
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistors petits signaux NPN, 60 à 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.