IGBT, FGA60N65SMD, , 120 A, 650 V, TO-3PN, 3 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
120 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Type de conditionnement
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 124,85
€ 4,162 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 124,85
€ 4,162 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 90 | € 4,162 | € 124,85 |
| 120 - 240 | € 3,658 | € 109,73 |
| 270 - 480 | € 3,571 | € 107,13 |
| 510+ | € 3,171 | € 95,13 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
120 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
600 W
Type de conditionnement
TO-3PN
Type de montage
Through Hole
Type de canal
N
Nombre de broche
3
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.8 x 5 x 20.1mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.