IGBT, FGH75T65SQDNL4, , 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant continu de Collecteur maximum
200 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
650 V
Tension Grille Emetteur maximum
±20V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Nombre de transistors
1
Type de conditionnement
A-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
P
Nombre de broche
4
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Capacité de grille
5100pF
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Indice énergétique
160mJ
Pays d'origine
China
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€ 9,18
€ 9,18 Each (hors TVA)
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 9,18 |
| 10 - 99 | € 7,91 |
| 100+ | € 6,86 |
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Nombre de transistors
1
Type de conditionnement
A-247
Type de montage
Through Hole
Type de canal
P
Nombre de broche
4
Vitesse de découpage
1MHz
Configuration du transistor
Single
Dimensions
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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