Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 40mA
Tension Grille Source maximum
-25 V
Tension Drain Grille maximum
25V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
12Ω
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-92
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
85pF
Capacitance Source Grille ON
85pF
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
4.58mm
Taille
4.58mm
Largeur
3.86mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 33,79
€ 0,338 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
100
€ 33,79
€ 0,338 Each (Supplied in a Bag) (hors TVA)
Paquet de production (Sac)
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Sac |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,338 | € 8,45 |
250 - 475 | € 0,293 | € 7,33 |
500+ | € 0,258 | € 6,45 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 40mA
Tension Grille Source maximum
-25 V
Tension Drain Grille maximum
25V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
12Ω
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-92
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
85pF
Capacitance Source Grille ON
85pF
Dimensions
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
4.58mm
Taille
4.58mm
Largeur
3.86mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.