Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 2mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
100 Ω
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-92
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.2mm
Taille
5.33mm
Largeur
4.19mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 13,91
€ 0,278 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 13,91
€ 0,278 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,278 | € 13,90 |
500+ | € 0,24 | € 12,00 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 2mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
100 Ω
Type de montage
Through Hole
Type de boîtier
TO-92
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5.2mm
Taille
5.33mm
Largeur
4.19mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.