Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant direct moyen
500mA
Type de pont
Single Phase
Tension inverse de crête répétitive
600V
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOIC W
Nombre de broche
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1V
Courant inverse crête
500µA
Dimensions
4.95 x 4.2 x 2.7mm
Longueur
4.95mm
Taille
2.7mm
Largeur
4.2mm
Détails du produit
On Semiconductor MB1S-MB8S
Approvals
UL, E258596
€ 31,09
€ 0,311 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 31,09
€ 0,311 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,311 | € 7,77 |
250 - 475 | € 0,27 | € 6,75 |
500 - 975 | € 0,237 | € 5,93 |
1000+ | € 0,216 | € 5,41 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiCourant direct moyen
500mA
Type de pont
Single Phase
Tension inverse de crête répétitive
600V
Type de montage
CMS
Type de conditionnement
SOIC W
Nombre de broche
4
Format
Single
courant direct de surcharge non-répétitif de crête
35A
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de crête
1V
Courant inverse crête
500µA
Dimensions
4.95 x 4.2 x 2.7mm
Longueur
4.95mm
Taille
2.7mm
Largeur
4.2mm
Détails du produit
On Semiconductor MB1S-MB8S
Approvals
UL, E258596