JFET, MMBFJ111, Canal-N, 15 V Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
20mA
Tension Drain Source maximum
15 V
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Configuration du transistor
Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
30 Ω.
Type de fixation
CMS
Type d'emballage
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.04mm
Largeur
1.3mm
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 122,50
€ 0,245 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
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Paquet de production (Bobine)
500
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,245 | € 12,25 |
| 1000+ | € 0,213 | € 10,63 |
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N
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Single
Format
Single
Résistance Drain Source maximum
30 Ω.
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CMS
Type d'emballage
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Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.04mm
Largeur
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