JFET, MMBFJ112, Canal-N, Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Idss Drain-source Courant de coupure
min. 5mA
Tension Grille Source maximum
-35 V
Tension Drain Grille maximum
35V
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de fixation
CMS
Type d'emballage
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Largeur
1.3mm
Hauteur
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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€ 19,80
€ 0,198 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Paquet de production (Bobine)
100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,198 | € 4,95 |
| 250 - 475 | € 0,172 | € 4,29 |
| 500 - 975 | € 0,151 | € 3,77 |
| 1000+ | € 0,137 | € 3,43 |
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Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
50 Ω
Type de fixation
CMS
Type d'emballage
TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Drain Grille
28pF
Capacitance Source Grille ON
28pF
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Largeur
1.3mm
Hauteur
0.93mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
2.92mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
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