JFET, MMBFJ177LT1G, Canal-P, Simple SOT-23, 3 broches Simple
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
1.5 to 20mA
Tension Drain Grille maximum
25V dc
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
300 Ω
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
11pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 10,46
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 10,46
€ 0,105 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,105 | € 1,05 |
| 250 - 490 | € 0,10 | € 1,00 |
| 500 - 990 | € 0,094 | € 0,94 |
| 1000+ | € 0,077 | € 0,77 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
P
Idss Drain-source Courant de coupure
1.5 to 20mA
Tension Drain Grille maximum
25V dc
Format
Single
Configuration du transistor
Single
Résistance Drain Source maximum
300 Ω
Type de montage
CMS
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Nombre de broche
3
Capacitance Source Grille ON
11pF
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Largeur
1.4mm
Taille
1.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Détails du produit
Transistor JFET canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.