Diode de protection ESD Bidirectionnel, claq. 13.7V DFN8, 8 broches, dissip. 0.36W
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de direction
Bi-Directional
Configuration de diode
Array
Tension de claquage
13.7V
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
DFN8
Tension inverse maximum à l'état bloqué
12V
Nombre de broche
8
Dissipation de puissance crête d'impulsion
0.36W
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
4
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Dimensions
2 x 2 x 0.95mm
Courant de fuite inverse maximum
100nA
Capacité
66pF
Longueur
2mm
Hauteur
0.95mm
Largeur
2mm
Courant de test
1mA
Détails du produit
Filtre EMI avec protection PSDE, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 14,17
€ 0,567 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
€ 14,17
€ 0,567 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,567 | € 14,17 |
| 125+ | € 0,555 | € 13,87 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de direction
Bi-Directional
Configuration de diode
Array
Tension de claquage
13.7V
Type de fixation
CMS
Type de conditionnement
DFN8
Tension inverse maximum à l'état bloqué
12V
Nombre de broche
8
Dissipation de puissance crête d'impulsion
0.36W
Protection ESD
Yes
Nombre d'éléments par circuit
4
Température de fonctionnement minimum
-40 °C
Température d'utilisation maximum
85 °C
Dimensions
2 x 2 x 0.95mm
Courant de fuite inverse maximum
100nA
Capacité
66pF
Longueur
2mm
Hauteur
0.95mm
Largeur
2mm
Courant de test
1mA
Détails du produit
Filtre EMI avec protection PSDE, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.